2.人為因素
（1）進(jìn)線接在出線的端子上（2）變頻器接錯(cuò)電源（3）沒按要求接負(fù)載 
3.常見原因：（1）過電流 ：一種是負(fù)載短路，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導(dǎo)致上下橋臂元件直通。
（2）絕緣的損壞
（3）過電壓 ：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產(chǎn)生的尖峰電壓而造成，解決的辦法就是設(shè)計(jì)高性能吸收回路，降低線路雜散電感。
（4）過熱 ：IGBT不能完全導(dǎo)通，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度增加導(dǎo)致?lián)p壞。
（5）通訊誤碼率
a.通訊一段時(shí)間后，突然的錯(cuò)誤信息導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸
b.通訊板FPGA程序運(yùn)行不穩(wěn)定導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸
4．其他原因
（1）電路中過流檢測(cè)電路反應(yīng)時(shí)間跟不上。
（2）IGBT短路保護(hù)是通過檢測(cè)飽和壓降，而留給執(zhí)行機(jī)構(gòu)的時(shí)間一般是10us（8倍過流）。在上電的時(shí)候容易燒預(yù)充電電阻和制動(dòng)單元里的IGBT。
（3）工藝問題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。
（4）短時(shí)大電流：原因也有很多，比如死區(qū)沒設(shè)置好、主電路過壓、吸收電路未做好。
（5）驅(qū)動(dòng)電源也是個(gè)應(yīng)該特別注意的問題，該隔離加隔離、該濾波加濾波。
（6）電機(jī)沖擊反饋電壓過大導(dǎo)致IGBT爆炸。但對(duì)于充電時(shí)爆炸的情況發(fā)生的概率不是很大。
（7）電機(jī)啟動(dòng)時(shí)，輸入測(cè)電壓瞬間跌落，電容放電。輸入測(cè)電壓恢復(fù)后電容充電時(shí)的浪涌電流過大致使永磁同步電機(jī)變頻器IGBT爆炸